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MCR技術原理 MCR是利用附加直流電流勵磁磁化電抗器鐵心,通過調節(jié)鐵心的磁飽和程度,改變鐵心的磁導率,實現(xiàn)電抗值連續(xù)可調。在磁路結構即電抗器鐵芯芯柱上(結構見右圖),設置了由不飽和區(qū)域鐵芯1和飽和區(qū)域鐵芯2交錯排列組成并聯(lián)磁路;不飽和區(qū)域鐵芯1吸收主磁通方向前后相鄰或左右相鄰的飽和區(qū)域鐵芯2的漏磁通而形成漏磁自屏蔽;調節(jié)繞組3回路中可控硅4的觸發(fā)導通角,控制附加直流勵磁電流而勵磁磁化鐵芯;通過調整不飽和區(qū)域鐵芯和飽和區(qū)域鐵芯的面積或磁阻,改變并聯(lián)磁路 中不飽和區(qū)域鐵芯的磁化程度和飽和區(qū)域鐵芯的飽和程度,實現(xiàn)電抗值的連續(xù)、快速可調。
MCR技術特點 MCR在產品結構設計和制造工藝技術等方面,在采用磁路并聯(lián)漏磁自屏蔽技術的同時,綜合應用了大型變壓器、超/特高壓互感器、高壓電容器、電力電子控制等先進制造技術。例如:鐵芯采用磁密不飽和、對稱分裂、交/值流磁路獨立等設計方法;繞組采用自耦式、串并聯(lián)連接、結構對稱等設計方法;在整體結構方面采用全密封、免維護等設計和制造工藝術。通過這些技術措施,有效地減少了MCR自身的損耗、噪聲和諧波含量,使MCR實現(xiàn)了結構合理、質量可靠、成本低性能先進、制造工藝成熟、運行穩(wěn)定、免維護。MCR各項技術指標、技術特點和實現(xiàn)措施,見下表
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上一條：MSVC高壓動態(tài)無功補償
下一條：MSVC(MCR)型 動態(tài)無功補償濾波裝置 |
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